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Samsung SSD 990 M.2 NVMe 1000 GB1/8
Samsung

Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Referencia
2188466
Ref. fabricante
MZ-V9V1T0BW
EAN
8806099020699

Samsung 990, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

Capacidad de almacenamiento total1000 GB
SpeicherschnittstellePCI-Express
SSD BauhöheKeine Angaben
Factor de forma de disco SSDM.2
Anwendungsbereich SSDConsumer
Festplatten SchnittstelleNVMe
SDD, capacidad1 TB
InterfazPCI Express 4.0
Los 36 datos técnicos

Descripción

Samsung 990. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC

Documentos

Datos técnicos

Capacidad de almacenamiento total1000 GB
SpeicherschnittstellePCI-Express
SSD BauhöheKeine Angaben
Anwendungsbereich SSDConsumer
Festplatten SchnittstelleNVMe

Características

Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad1 TB
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSí
Tipo de memoriaV-NAND
Componente paraPC
Encriptación de hardwareSí
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES, TCG Opal 2.0
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura7150 MB/s
Velocidad de escritura6450 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)700000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)1100000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSí
Revisión PCI Express CEM4.0
Soporte S.M.A.R.T.Sí
Soporte TRIMSí
Tiempo medio entre fallos1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)4 W
Consumo de energía (escritura)3,7 W
Consumo de energía (espera)0,055 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)3 mW

Peso y dimensiones

Anchura80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm

Empaquetado

Tipo de embalajeCaja

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Peso0.07 kg

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