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Samsung SSD 990 EVO Plus NVMe M.2 2280 NVMe 4000 GB1/9
Samsung

Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Référence
1789208
Réf. fabricant
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667

Samsung MZ-V9S4T0, 4 To, M.2, 7250 Mo/s

Capacité de stockage totale4000 GO
Interface mémoirePCI-Express 3.0 x4, PCI-Express 4.0 x4
Hauteur SSD2.38 mm
Facteur de forme SSDM.2
Champ d'applicationConsommateurs
Interface disque durNVM
Capacité du Solid State Drive (SSD)4 To
InterfacePCI Express 4.0
Les 38 caractéristiques techniques

Description

Samsung MZ-V9S4T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7250 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC

Documents

Caractéristiques techniques

Capacité de stockage totale4000 GO
Interface mémoirePCI-Express 3.0 x4, PCI-Express 4.0 x4
Hauteur SSD2.38 mm
Champ d'applicationConsommateurs
Interface disque durNVM

Caractéristiques

Facteur de forme SSDM.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)4 To
InterfacePCI Express 4.0
NVMOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2,0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture7250 Mo/s
Vitesse d'écriture6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)1050000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1400000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement3, 3 V
Consommation électrique (Lecture)5, 5 W
Consommation électrique (Ecriture)4, 8 W
Consommation électrique (idle)0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)5 mW

Poids et dimensions

Largeur80, 2 mm
Profondeur2, 38 mm
Hauteur80, 2 mm
Poids9 g

Informations sur l'emballage

Largeur du colis148 mm
Profondeur du colis100 mm
Hauteur du colis22 mm
Poids du paquet70 g

Conditions environnementales

Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 g
Poids0.07 kg

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