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Samsung SSD 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 NVMe 8000 GB1/5
Samsung

Samsung MZ-VAP8T0 8 To M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Référence
1960254
Réf. fabricant
MZ-VAP8T0BW
EAN
8806095811680

Samsung MZ-VAP8T0, 8 To, M.2, 14800 Mo/s

Capacité de stockage totale8000 GB
Interface mémoirePCI Express
Hauteur SSD2.38 mm
Facteur de forme SSDM.2
Champ d'applicationConsommateurs
Interface disque durNVM
Capacité du Solid State Drive (SSD)8 To
InterfacePCI Express 5.0
Les 36 caractéristiques techniques

Description

Samsung MZ-VAP8T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 8 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 14800 Mo/s, Vitesse d'écriture: 13400 Mo/s, composant pour: PC/Console de jeux

Documents

Caractéristiques techniques

Capacité de stockage totale8000 GB
Interface mémoirePCI Express
Hauteur SSD2.38 mm
Facteur de forme SSDM.2
Champ d'applicationConsommateurs
Interface disque durNVM

Caractéristiques

Capacité du Solid State Drive (SSD)8 To
InterfacePCI Express 5.0
NVMOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC/Console de jeux
Le chiffrement matérielOui
Version NVMe2,0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture14800 Mo/s
Vitesse d'écriture13400 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)2200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)2600000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement3, 3 V
Consommation électrique (Lecture)10, 5 W
Consommation électrique (Ecriture)8, 8 W
Consommation électrique (idle)0,009 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)8,6 mW

Poids et dimensions

Largeur80, 2 mm
Profondeur3, 88 mm
Hauteur80, 2 mm

Informations sur l'emballage

Type d'emballageBoîte

Conditions environnementales

Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 g

Autres caractéristiques

Période de garantie5 année(s)
Poids0.04 kg

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