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Samsung SSD 9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 NVMe 8000 GB1/5
Samsung

Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Codice articolo
1960254
Cod. produttore
MZ-VAP8T0BW
EAN
8806095811680

Samsung MZ-VAP8T0, 8 TB, M.2, 14800 MB/s

Capacità di memoria totale8000 GB
Interfaccia di memoriaPCI-Express
Altezza SSD2.38 mm
Dimensione SSDM.2
Ambito di applicazioneConsumatori
Interfaccia disco rigidoNVMe
Capacità SSD8 TB
InterfacciaPCI Express 5.0
Tutti i 36 dati tecnici

Descrizione

Samsung MZ-VAP8T0. Capacità SSD: 8 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 14800 MB/s, Velocità di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/console di gioco

Documenti

Dati tecnici

Capacità di memoria totale8000 GB
Interfaccia di memoriaPCI-Express
Altezza SSD2.38 mm
Dimensione SSDM.2
Ambito di applicazioneConsumatori
Interfaccia disco rigidoNVMe

Caratteristiche

Capacità SSD8 TB
InterfacciaPCI Express 5.0
NVMeSì
Tipo memoriaV-NAND TLC
Componente perPC/console di gioco
criptaggio hardwareSì
Versione di NVMe2.0
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura14800 MB/s
Velocità di scrittura13400 MB/s
Lettura casuale (4KB)2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Expressx4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)Sì
Supporto S.M.A.R.T.Sì
Supporto TRIMSì
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h

Gestione energetica

Tensione di esercizio3,3 V
Consumo di energia (in lettura)10,5 W
Consumo di energia (in scrittura)8,8 W
Consumo energetico (inattivo)0,009 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)8,6 mW

Dimensioni e peso

Larghezza80,2 mm
Profondità3,88 mm
Altezza80,2 mm

Dati su imballaggio

Tipo di imballoScatola

Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
Shock di funzionamento1500 G

Altre caratteristiche

Durata della garanzia5 anno/i
Peso0.04 kg

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